Вытягивание из расплава

ВНИИТВЧ осуществляет разработку и изготовление технологических установок для получения материалов методом вытягивания со свободной поверхности расплава.

Методы вытягивания из расплава - метод Чохральского и метод Степанова - позволяют выращивать монокристаллы различных материалов, в том числе профилированные кристаллы.
Для получения однородных кристаллов при вытягивании из расплава необходимо обеспечить в процессе выращивания стабильные температурные условия, высокоточное воспроизведение заданных параметров роста и возможности достаточно простого управления ими.

Выполнение этих требований обеспечивает использование индукционного нагрева, который:

• позволяет получать заданное распределение мощности в расплаве; 
• дает возможность высокоточной стабилизации температурных параметров процесса; 
• позволяет гибко и просто управлять параметрами процесса нагрева; 
• позволяет проводить процесс как в вакууме, так и в контролируемой среде различных газов. 

Во ВНИИТВЧ разработаны, изготовлены и успешно эксплуатируются в промышленности установки для:

  • получения монокристаллов методом вытягивания со свободной поверхности расплава (серия "Кристалл 600"
  • выращивания монокристаллов особо чистого германия с использованием метода Чохральского (серия "Кристалл 800").

Конструктивные и технологические параметры каждой установки определяются её конкретным назначением.