серия "Кристалл 100"

Установки серии "Кристалл 100" для получения кристаллических материалов методом бестигельной зонной плавки


Установки для получения бездислокационных монокристаллов кремния разного диаметра и длины в ручном или автоматическом режимах 
("Кристалл 110", "Кристалл 114")

Процесс проводится в вакууме или среде инертного газа при избыточном давлении.

Процесс выращивания кристалла с момента разращивания конуса автоматизирован по оригинальному алгоритму, позволяющему управлять процессом роста по изменению геометрических размеров зоны. Возможно проведение процесса в режиме ручного управления.

Установки просты в эксплуатации; возможно одновременное обслуживание одним оператором 2-3 установок одновременно.

Может быть использован индуктор, позволяющий получить узкую зону расплава (патент РФ №2312154).

Установки могут быть адаптированы для получения монокристаллов других материалов.


Установка для получения монокристаллов легко диссоциирующих соединений, в частности, монокристаллов гексаборида лантана в среде инертного газа
("Кристалл 111")
Возможно получение кристаллов длиной до 200 мм.

Процесс проводится в среде с избыточным давлением до 100 кг/см³.

Чистота получаемого материала определяется чистотой инертного газа. Специальная газо-вакуумная система позволяет сохранять среду практически исходной чистоты.

Может быть использован индуктор, позволяющий получить узкую зону расплава - до 8 мм (патент РФ № 2312154).

Установка может быть адаптирована для получения монокристаллов других материалов.


Установка для получения кремниевых стержней - контрольных проб кремния-сырца, по которым определяется качество партий поликристаллического кремния согласно стандартам SEMI и ASTM 
("Кристалл 115")

Технологический процесс проводится в высоком вакууме или среде инертного газа при избыточном давлении до 0,7 кГс/см².

Управление осуществляется в ручном режиме с пульта управления.

Возможно непрерывное проведение многопроходных процессов без вскрытия технологической камеры.

Использован индуктор, позволяющий получить узкую зону расплава - до 8 мм (патент РФ № 2312154).

Предусмотрено устройство стартового нагрева кристалла.

Установка может быть адаптирована для получения монокристаллов других материалов.